Baltic Photonics izstrādā Latvijā ražotus GaAs substrātus nakts redzamības tehnoloģijām
SIA “Baltic Photonics” sadarbībā ar SIA “Photonics International R&D center” īsteno Eiropas Savienības līdzfinansētu komercializācijas projektu
SIA “Baltic Photonics” kopā ar sadarbības partneri SIA “Photonics International R&D center” izstrādā projektu, kura mērķis ir izstrādāt un validēt tehnoloģiju specializētu 21–22 mm gallija arsenīda (GaAs) pusvadītāju plākšņu (substrātu) epitaksijai un apstrādei fotokatodu vajadzībām, izveidot prototipu sēriju un komercializācijas plānu, lai nodrošinātu Latvijā ražotu komponentu piegādi attēlu pastiprinātāju ražotājiem Eiropā. Projektā Baltic Photonics nodrošina ražošanas kapacitāti, tirgus pieeju un prototipu testēšanu, savukārt Photonics International R&D center vada piegādes ķēdes izveidi un kvalifikāciju, izstrādā sākotnējo epitaksijas recepti un MOCVD ārpakalpojuma procesu, kā arī sagatavo komercializācijas modeli.
Kāpēc tas ir svarīgi
GaAs fotokatodi ir modernu nakts redzamības iekārtu centrālais elements – tie nodrošina augstu gaismas jutību un ļauj iegūt detalizētu attēlu tumsā. Šobrīd šādiem fotokatodiem nepieciešamie mazā formāta substrāti tiek iegūti, izgriežot tos no lielām 4–6 collu plāksnēm, kas rada malu defektus, daļiņu piesārņojumu un būtiskus materiāla zudumus. Turklāt specializētu 22 mm GaAs plākšņu ražošana nav pieejama ne Latvijā, ne Baltijā – Eiropas ražotāji ir atkarīgi no importa un pakļauti eksporta kontroles ierobežojumiem un ģeopolitiskiem riskiem.
Projektā attīstītā pieeja ir principiāli atšķirīga: substrāti tiek audzēti uzreiz mērķa 21–22 mm formātā ar kontrolētu malu apstrādi un pielāgotu MOCVD epitaksiju. Tas ļauj būtiski samazināt defektu līmeni un ražošanas izmaksas – līdz pat 50% salīdzinājumā ar pašreizējo tirgus praksi – un vienlaikus izveidot pirmo Eiropā lokalizētu piegādes ķēdi šai kritiskajai komponentei, stiprinot reģiona fotonikas un elektronikas nozares konkurētspēju un Eiropas tehnoloģisko neatkarību.
Ko projektā paredzēts paveikt
- izveidot Eiropas piegādes ķēdi substrātu izgatavošanai (materiālu sagāde, griešana, pulēšana, marķēšana);
- izstrādāt un optimizēt MOCVD epitaksijas procesu mazā formāta substrātiem;
- izgatavot un testēt prototipu sērijas, tās validējot pie potenciālā klienta reālos ražošanas apstākļos;
- sagatavot komercializācijas stratēģiju un tehniski ekonomisko priekšizpēti;
- prezentēt tehnoloģiju starptautiskās fotonikas un drošības tehnoloģiju izstādēs.
Projekta laikā tehnoloģijas gatavības līmeni paredzēts paaugstināt no TRL 3–4 līdz TRL 6–7, sasniedzot validētu, ražošanā integrējamu risinājumu. Par jauno tehnoloģiju konkrētu interesi jau ir apliecinājis vienīgais GaAs fotokatodu ražotājs Eiropā, ar kuru parakstīta nodomu vēstule.
Projekta pamatinformācija
- Projekta nosaukums
- Specializētu 22 mm GaAs pusvadītāju plākšņu (substrātu) epitaksijas un apstrādes tehnoloģijas izstrāde fotokatodiem
- Pieteikuma Nr.
- KOM/2025/17/P/1
- Programma
- LIAA komercializācijas atbalsts – ES kohēzijas politikas programmas 2021–2027 1.2.1.4. pasākums “Atbalsts tehnoloģiju pārneses sistēmas pilnveidošanai” (projekta Nr. 1.2.1.4/1/23/I/001)
- Īstenotāji
- SIA “Baltic Photonics” sadarbībā ar SIA “Photonics International R&D center”
- Īstenošanas ilgums
- 12 mēneši (no 2026. gada janvāra līdz 2027. gada janvārim)
- Kopējās izmaksas
- 551 940,58 EUR, no tām atbalsta finansējums – 275 970,29 EUR (50%)
Projekts tiek īstenots Latvijas Viedās specializācijas stratēģijas jomā “Fotonika un viedie materiāli, tehnoloģijas un inženiersistēmas”.